ทรานซิสเตอร์ คือ อุปกรณ์ที่ใช้สารกึ่งตัวนำควบคุมศักย์หรือกระแสไฟฟ้า แบ่งเป็น 2 ชนิดหลัก คือ ไบโพลาร์กับมอสเฟท
1. ไบโพลาร์ (BJT: Bipolar Junction Transistor) ถูกคิดค้นเมื่อปี 1947 โดย John Bardeen, Walter Brattain, William Shockley เป็นสารกึ่งตัวนำ PNP หรือ NPN ทำหน้าที่เหมือนไดโอด 2 ตัวติดกันทำให้กระแสไหลได้น้อยในสถานะปกติ แต่เมื่อมีกระแสไหลผ่านขากลาง จะทำให้กระแสไหลได้มาก
\[ I_B = \frac{qnD}{L} (e^{qV_{BE}/k_BT} - 1 ) = (1-\alpha)I_E \]
2. มอสเฟท (MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ถูกคิดค้นเมื่อปี 1957 โดย Carl Frosch และ Lincoln Derick เป็นสารกึ่งตัวนำ PNP หรือ NPN เช่นกันแต่สารกึ่งตัวนำตัวกลางไม่ถูกเชื่อมต่อโดยตรงมีโลหะและฉนวนอยู่ด้านบนทำหน้าที่คล้ายตัวเก็บประจุ เมื่อมีศักย์ไฟฟ้าเหนี่ยวนำประจุ จะทำให้กระแสไหลได้มาก
\[ I = \mu C \frac{W}{L} ((V_{gs}-V_{th})V_{ds} - \frac12 V_{ds}^2) \]
ทรานซิสเตอร์ยังชนิดอื่นอีกทั้งรูปแบบ, ชนิดของสาร, การใช้งาน แต่ที่ใช้มากที่สุดคือมอสเฟทในวงจรรวมในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ เริ่มตั้งแต่ปี 1971 โดยเฉพาะคอมพิวเตอร์และระบบการสื่อสารตั้งแต่ปี 1991